Ultra Fast Dynamic RDS(ON)

Charakterisierungssystem für GaN-Bauelemente

Integrierte Wafer-Testlösung für MPI TS2000-HP & TS3000-HP
Aktive Probekarte
Aufnehmen von Übertragungscharakteristiken
Aufnehmen von Ausgabecharakteristiken

Aus-Zustand 1 kV
Ein-Zustand 100 A
100 ns Abtastzeitauflösung
Gate-Impulslänge 1-100 μs
Unipolarer n-Kanal oder p-Kanal

Der Ultra Fast Dynamic RDS(on)-Test ist für die Charakterisierung von GaN-Transistoren konzipiert. Eine kritische Anforderung in der Leistungselektronik ist das Erreichen eines sehr niedrigen Einschaltwiderstands (RON) unmittelbar nach dem Umschalten von einem Hochspannungs-Aus-Zustand in einen Niederspannungs-EIN-Zustand.

Der Ultra Fast Dynamic RDS(on)-Test ist in der Lage, den RDS(on) unmittelbar nach dem Umschalten vom AUS- in den EIN-Zustand zu messen. Der erste RDS(on)-Wert wird nach ca. 1 μs erzeugt. Das System ist für Ströme bis zu 100 A (gepulst) oder Spannungen bis zu 1 kV ausgelegt. Durch den speziellen Aufbau der Probecard ist es möglich, weitere Parameter (Leckage, u.a.) zu messen.

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